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引言1

二极管Ⅰ：整流器第1章　p-n结二极管10

1.1　历史10

1.2　结构10

1.3　特性11

1.4　应用18

1.5　相关器件18

1.5.1　齐纳二极管18

1.5.2　阶跃恢复二极管18

1.5.3　异型异质结19

1.5.4　变容二极管20

第2章　p-i-n二极管22

第3章　肖特基势垒二极管29

3.5.1　莫特势垒38

3.5.2　金属-绝缘体-半导体隧道二极管38

第4章　平面掺杂势垒二极管40

4.5.1　双峰式二极管44

4.5.2 平面掺杂势垒场效应晶体管45

第5章　同型异质结47

5.5.1　缓变结构势垒52

二极管Ⅱ：负阻 N形第6章　隧道二极管55

6.5.1 反向二极管60

第7章　转移电子器件62

第8章　共振隧穿二极管72

8.5.1　共振隧穿场效应晶体管77

第9章　共振带间隧穿二极管80

第10章　单势垒隧道二极管86

第11章　单势垒带间隧穿二极管90

第12章　实空间转移二极管93

二极管Ⅲ：负阻效应 S形第13章　金属-绝缘体-半导体开关97

13.5.1　金属-绝缘体-半导体-金属开关102

13.5.2　金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属开关102

第14章　平面掺杂势垒开关105

14.5.1　多晶硅-n-p开关109

14.5.2　双异质结构光电子开关110

第15章　无定形半导体阈值开关112

15.5.1　无定形半导体存储开关114

第16章　异质结构热电子二极管117

二极管Ⅳ：负阻 渡越时间第17章　碰撞电离雪崩渡越时间二极管121

17.5.1　俘获等离子体雪崩触发渡越二极管127

17.5.2　双速雪崩渡越时间二极管128

17.5.3　混合隧道雪崩渡越时间二极管129

第18章　势垒注入渡越时间二极管130

18.5.1　双速渡越时间二极管135

18.5.2　隧道注入渡越时间二极管135

18.5.3　量子阱注入渡越时间二极管136

电阻和电容器件138

第19章　电阻器138

19.5.1 变阻器142

19.5.2 电势计143

19.5.3　n-i-n二极管144

第20章　金属-氧化物-半导体电容器146

20.5.1　金属-绝缘体-半导体电容器153

20.5.2　平板电容器153

第21章　电荷耦合器件157

21.5.1　埋沟电荷耦合器件164

21.5.2　蠕动电荷耦合器件165

21.5.3　成型蠕动式电荷耦合器件165

21.5.4　戽链器件165

晶体管Ⅰ：场效应第22章　金属-氧化物-半导体场效应晶体管167

22.5.1　双扩散金属-氧化物-半导体晶体管178

22.5.2　横向扩散金属-氧化物-半导体晶体管178

22.5.3　六角形场效应晶体管178

22.5.4　V形槽（或纵向）金属-氧化物-半导体晶体管178

22.5.5　U形槽金属-氧化物-半导体晶体管180

22.5.6　薄膜晶体管180

22.5.7　金属-绝缘体-半导体场效应晶体管181

22.5.8　压敏场效应晶体管181

第23章　结型场效应晶体管183

23.5.1　V形槽场效应晶体管190

第24章　金属-半导体场效应晶体管192

第25章　调制掺杂场效应晶体管201

25.5.1　倒置异质结场效应晶体管206

25.5.2　平面掺杂异质结场效应晶体管207

25.5.3　单量子阱异质结场效应晶体管207

25.5.4　超晶格异质结场效应晶体管207

25.5.5　赝异质结场效应晶体管207

25.5.6　异质结绝缘栅场效应晶体管207

25.5.7　半导体-绝缘体-半导体场效应晶体管209

25.5.8　掺杂沟道异质结场效应晶体管209

第26章　可渗基区晶体管210

第27章　静电感应晶体管215

第28章　实空间转移晶体管224

第29章　平面掺杂场效应晶体管232

第30章　表面隧道晶体管237

30.5.1 肖特基隧道晶体管241

第31章　横向共振隧穿场效应晶体管243

第32章　斯塔克效应晶体管247

第33章　速度调制晶体管251

晶体管Ⅱ：电势效应第34章　双极型晶体管256

34.5.1　异质结双极型晶体管268

34.5.2　达林顿放大器270

34.5.3 隧穿发射极双极型晶体管270

第35章　隧穿热电子转移放大器272

第36章　金属基极晶体管279

第37章　双极反型沟道场效应晶体管284

37.5.1　体势垒晶体管288

第38章　隧道发射极晶体管292

38.5.1　表面氧化物晶体管296

第39章　平面掺杂势垒晶体管299

39.5.1　双峰式晶体管302

第40章　异质结热电子晶体管304

第41章　感应基区晶体管308

第42章　共振隧穿双极晶体管313

第43章　共振隧穿热电子晶体管319

第44章　量子阱基区共振隧穿晶体管324

第45章　自旋阀晶体管329

非易失性存储器335

第46章　浮栅雪崩注入金属-氧化物-半导体晶体管335

46.5.1 浮栅隧道氧化物晶体管339

第47章　金属-氮化物-氧化物-半导体晶体管341

47.5.1　金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体晶体管345

47.5.2　铁电场效应晶体管346

晶闸管和功率器件第48章　可控硅整流器348

48.5.1 门极辅助关断晶闸管356

48.5.2　门极关断晶闸管356

48.5.3　非对称晶闸管356

48.5.4　反向导通晶闸管357

48.5.5　转折二极管357

48.5.6　二极管交流开关358

48.5.7　三极管交流开关359

48.5.8　光敏晶闸管359

48.5.9 可编程单结晶体管360

48.5.10　可控硅开关361

48.5.11　硅单向开关361

48.5.12　硅双向开关362

48.5.13　MOS控制晶闸管362

第49章　绝缘栅双极型晶体管364

第50章　静电感应晶闸管370

第51章　单结晶体管376

光电子器件Ⅰ：光源第52章　发光二极管381

52.5.1　超发光二极管388

52.5.2　量子阱发光二极管389

52.5.3　超晶格发光二极管389

52.5.4　共振隧穿发光二极管389

52.5.5　量子点发光二极管390

第53章　注入式激光器392

53.5.1　异质结激光器398

53.5.2　大光腔激光器399

53.5.3　分别限制异质结激光器400

53.5.4　量子阱激光器400

53.5.5　超晶格激光器400

53.5.6　解理耦合腔激光器400

53.5.7　分布反馈激光器401

53.5.8　垂直腔面发射激光器402

53.5.9　量子级联激光器402

53.5.10　量子点激光器403

53.5.11 半导体光放大器403

光电子器件Ⅱ：光电探测器第54章　光电导元件406

54.5.1　光电磁探测器410

54.5.2 自由载流子光电导元件411

54.5.3　普特来探测器411

54.5.4　丹倍效应探测器411

第55章　p-i-n光电二极管413

55.5.1　p-n结光电二极管416

55.5.2　核辐射探测器418

第56章　肖特基势垒光电二极管419

56.5.1　异质结内光电发射探测器423

第57章　电荷耦合图像传感器426

57.5.1 电荷注入器件431

第58章　雪崩光电二极管434

58.5.1　吸收区、倍增区分置雪崩光电二极管438

58.5.2　超晶格雪崩光电二极管439

58.5.3　台阶雪崩光电二极管439

第59章　光电晶体管442

59.5.1　达林顿光电晶体管445

59.5.2　雪崩光电晶体管445

59.5.3　光敏场效应晶体管445

59.5.4　体势垒光电晶体管446

59.5.5　静电感应光电晶体管447

59.5.6　隧道发射极光电晶体管448

第60章　金属-半导体-金属光电探测器450

第61章　量子阱红外光电探测器455

第62章　量子点红外光电探测器461

第63章　阻挡杂质带光电探测器465

第64章　负电子亲和势光电阴极470

64.5.1　光电倍增管474

64.5.2　转移电子光电阴极476

第65章　光子牵引探测器478

光电子器件Ⅲ：双稳态光学器件第66章　自电光效应器件481

第67章　双稳态标准具485

67.5.1　干扰滤波器488

光电子器件Ⅳ：其他器件第68章　太阳能电池490

第69章　电吸收调制器498

69.5.1 光波导501

69.5.2　电光调制器501

69.5.3　马赫-岑德尔调制器502

69.5.4　定向耦合器调制器502

传感器504

第70章　热敏电阻器504

70.5.1 电阻测温计507

70.5.2　热敏电阻辐射热测量计507

70.5.3　热电探测器508

第71章　霍尔器件511

71.5.1　磁敏电阻器513

71.5.2　磁敏二极管514

71.5.3　磁敏晶体管515

71.5.4　磁场敏感型场效应晶体管516

71.5.5　载流子畴磁场传感器516

71.5.6　磁致伸缩传感器517

第72章　应变计518

72.5.1　压电应变计523

第73章　叉指换能器525

第74章　离子敏感场效应晶体管530

74.5.1　酶场效应晶体管533

74.5.2　离子控制二极管533

74.5.3 半导体氧化物传感器534

74.5.4　催化金属传感器534

74.5.5　裸栅场效应晶体管535

74.5.6　吸附式场效应晶体管535

74.5.7　电荷流晶体管535

附录A　精选的非半导体器件537

A1　真空管538

A2　超导器件541

A3　电感器和变压器547

A4　液晶显示器550

A5　热电偶和热电堆553

A6　金属-绝缘体-金属二极管556

A7　单电子晶体管558

附录B　物理现象567

B1　漂移速度和迁移率568

B2　扩散572

B3　热电子发射577

B4　镜像力降低580

B5　复合和产生583

B6　碰撞电离和雪崩590

B7　空间电荷效应和空间电荷限制电流594

B8　隧穿596

B9　欧姆接触599

B10　霍尔效应607

B11　异质结、量子阱、超晶格和量子点613

附录C　各类器件的一般应用619

C1　整流器的应用620

C2　负微分电阻的应用626

C3　晶体管的应用628

C4　光电探测器的应用631

C5　双稳态光学器件的应用633

C6　半导体存储器636

附录D　物理性质641

D1　半导体的性质642

D2　Ge、Si和GaAs的性质644

D3　SiO2和Si3N4的性质646

D4　电阻率和迁移率647

D5　本征浓度和费米能级650

D6　耗尽列线图解653

D7　吸收系数654

D8　硅氧化速率655

D9　离子注入范围和标准偏差657

D10　杂质扩散系数661

D11　杂质能级663

D12　固溶度665

D13　金属和硅化物的性质667

D14　能隙与晶格常数的关系670

附录E　基本信息671

E1　常用公式672

E2　缩略语675

E3　电磁波谱682

E4 元素周期表683

E5　元素符号685

E6　国际单位制（SI）686

E7　单位前缀687

E8　希腊字母688

E9　基本物理常数689

E10　符号表690

索引703

译后记715